临界击穿场强8MV/cm，是碳化硅（3MV/cm）的2.7倍，硅（0.3MV/cm）的27倍！
导通电阻理论值仅为硅的1/3000、碳化硅的1/6，在相同电压下损耗降低98%！
并且氧化镓可通过熔体法生长大尺寸单晶，成本将大幅度降低，且单晶生长速度更快，这绝对是一种极其优秀的新半导体材料！
第四代半导体材料！
一组组数据先后被测量出来，见证了这一刻的所有人都明白，半导体界新的王者已经出现！
“我们……成功了？”
蔻依似乎还有些不敢相信。
实验室中却早已经陷入一片欢腾，
陈辉也开心的笑了起来，他现在已经知道五月的华夏数学学会年会要汇报什么成果了。
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