而面对吕尧他们这边的咄咄逼人，三星半导体研发团队那边也紧跟着披露出更多的技术细节和数据，以此来反驳梁伯嵩的公开论文。
梁伯嵩的“鳍式场效应晶体管”虽然在目前的产品中表现确实更为优越，但它也有自己的问题，那就是需要投入的研发资金，研发时间和需要突破的技术难点太多。
凡是参与过半导体芯片制程工艺研究的企业应该都明白，芯片工艺越高精，所需要投入的成本就越大。
更要命的是，这些投入能不能出成果都是未知的。
在10nm以内的制程工艺上，“鳍式场效应晶体管”是否能够突破到更高更小的物理尺度都两说。
但三星团队的“全环绕栅极晶体管”却比梁伯嵩的工艺更加的容易突破，更有希望突破至7nm，甚至是代表未来的3nm。
然后双方就专业的学术问题论道起来。
各执一词的双方都认为自己的路线代表着未来，谁都不肯服气谁。
而在这近乎赌气般的论道中，梁伯嵩先生发言公开声明表示，他将接受希杰电子的邀请，加入希杰电子，帮助希杰电子完成芯片制程从无到有的搭建，他要向世人证明，他的道路才是更加正确的方向。
哪怕目前的希杰电子一无所有，但只要有他梁伯嵩在，那希杰电子就会从当下什么都没有的状态，在未来几年内成为足以媲美世界顶尖半导体企业的集团。
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