所以吕尧在东大和霓虹制造舆论气氛,跟着抬出财经媒体,动用荣念晴那边的力量做空三星,让内卑外倨的新罗人主动护盘。
那么接下来,他就要开始砸盘了。
关于三星这一波舆论,一直从九月上旬延续到九月的中旬。
九月十二号这天,沉默许久的梁伯嵩发表了一篇公开论文,这篇论文中,梁伯嵩先生用非常细致且通俗易懂的语言,阐述了他主张的“鳍式场效应晶体管”和“全环绕栅极晶体管”工艺上的不同,以及不同工艺带来的性能,功耗方面的不同。
最后的结论就是:
“鳍式场效应晶体管”在工艺理念上全面领先“全环绕栅极晶体管”,“全环绕栅极晶体管”不仅需要更先进的EUV光刻机才能制造,同时,相比“鳍式场效应晶体管”工艺制造出来的芯片,“全环绕栅极晶体管”工艺做出来的芯片,功耗将会增加百分之10,性能却要因此弱上百分之7左右。
而“鳍式场效应晶体管”,越是高精越是微观,他所能带来的性能提升越明显,功耗消耗越小。
最要命的是,三星本土技术团队目前正在研发的路线,良品率是无法得到有效控制的。
在芯片制程工艺推进至7nm,5nm时,他所掌握的“鳍式场效应晶体管”工艺,在性能上将超出三星的工艺百分之15左右,功耗降低百分之20左右,良品率更是可以控制在百分之95。
这篇公开论文一出,业界直接炸了。
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